Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства микросхем памяти нового поколения для систем искусственного интеллекта. Речь идет о чипах HBM4 с высокой пропускной способностью, которые являются ключевым компонентом для масштабирования крупных центров обработки данных. В Samsung заявили, что приступили к выпуску этих изделий и начали поставки коммерческой продукции клиентам.
Компания называет это первым в отрасли достижением, которое обеспечивает лидирующие позиции на рынке HBM4. Ожидается, что одним из основных покупателей новой памяти станет американская корпорация Nvidia. В связи с ростом числа дата-центров, ориентированных на задачи искусственного интеллекта, спрос на современные микрочипы памяти значительно увеличился. По данным Samsung, новый чип более чем на 40 процентов превосходит отраслевые стандарты по скорости обработки данных по сравнению с предыдущими моделями.
Во второй половине дня на южнокорейской фондовой бирже акции Samsung Electronics выросли более чем на шесть процентов. Ранее правительство Южной Кореи заявляло о намерении войти в тройку мировых лидеров в области искусственного интеллекта наряду с США и Китаем. Samsung объявила о начале массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4, становясь первой компанией, которая сумела довести эту технологию до стадии реального продукта.
Главная особенность новинки — использование передового техпроцесса 4 нм для логического слоя и шестого поколения 10-нм класса (1c) для чипов DRAM, что позволило достичь рекордных характеристик без необходимости радикального пересмотра архитектуры. Скорость составляет 11,7 Гбит/с, максимальная — до 13 Гбит/с. Пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели памяти HBM3E. Такие цифры критически важны для устранения узких мест при обучении больших языковых моделей ИИ.
Несмотря на удвоение количества контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), инженерам удалось улучшить энергоэффективность на 40%. На текущий момент Samsung предлагает решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а в ближайших планах — выпуск 16-слойных модулей объемом 48 ГБ. Samsung прогнозирует взрывной рост спроса на память: компания ожидает, что продажи HBM в 2026 году вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Параллельно с расширением выпуска HBM4, компания планирует начать тестирование образцов улучшенной версии HBM4E уже во второй половине 2026 года, а с 2027 года — приступить к выпуску чипов памяти под конкретные требования заказчиков.